PN结器件优越的指标是正向导通电压低，具有低的导通损耗。但硅肖特基二极管也有两个缺点，

  (SiC)，俗称金刚砂。SiC 在自然界中以矿物碳硅石的形式存在，但十分稀少。不过，自1893 年以来，粉状

  种，主要特点是高热导率、高饱和以及电子漂移速率和高击场强等，因此被应用于各种半导体材料当中，

  （SiC）即使在高达1400℃的温度下，仍能保持其强度。这种材料的明显特点在于导热和电气半导体的导电性极高。

  具有极佳的材料特性，可以显著降低开关损耗，因此电源开关的操作频率可以大为提高，从而使电源系统的尺寸明显缩小。至于在转换

  上面没有做任何掩膜，就是为了去除SiC表面损伤层达到表面改性的效果。但是实际刻蚀过程中总是会在

  在功率模块中的性能，特别是SEMITRANS 3模块和SEMITOP E2无基板模块。分立器件（如 TO-247）是将

  风险，配置合适的短路保护电路，可以有效减少开关器件在使用过程中因短路而造成的损坏。与硅IGBT相比，

  MOSFET短路耐受时间更短。1）硅IGBT：硅IGBT的承受退保和短路的时间

  分立器件（Hybrid SiC Discrete Devices）将新型场截止IGBT技术和

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