据报道，沙特阿拉伯的阿卜杜拉国王科技大学（KAUST）领导的研讨人员发现了一种质子介导的办法，能够诱导铁电材猜中的多相改动，或许促进高性能低功耗存储设备和神经形状核算芯片的开展。

  该研讨小组表明，这种办法为高性能存储设备的发明铺平道路，包含受大脑启示的神经形状核算芯片。最新研讨成果已于近期宣布在了《先进科学》杂志上。

  他们解说称，像硒化铟这样的铁电资料本质上是极化的，当遭到电场作用时能改动极性。这种特性使它们成为内存技能开发的一个入神的挑选。由此发生的存储器材在低电压下作业时，具有杰出的读/写耐久性和写入速度。但是，它们的存储容量有限。

  该研讨的联合负责人Xin He解说说，容量约束源于现在的技能只能诱导少量几个铁电相，而记载这些铁电相给试验带来了巨大应战。

  据悉，该团队的新办法依赖于硒化铟的质子化，以发生很多的铁电相。研讨人员将铁电资料放入由硅支撑的堆叠异质结构组成的晶体管中进行评价。

  详细而言，他们在异质结构上层叠了一层硒化铟薄膜，异质结构由嵌套在底部铂层和顶部多孔二氧化硅之间的氧化铝绝缘片组成。铂层充任外加电压的电极，而多孔二氧化硅则充任电解质，为铁电薄膜供给质子。

  然后，研讨人员经过改动施加的电压，逐步从铁电薄膜中注入或去除质子。这可逆地发生了几个具有不一样程度质子化的铁电相，这关于完成具有很多存储容量的多级存储器材至关重要。

  他们发现，较高的正电压能添加质子化，而较高的负电压则能够显着下降质子化水平。此外，质子化水平的改变还取决于薄膜层与二氧化硅的间隔。在与二氧化硅触摸的底层，质子化水平到达最高值，而在顶层，质子化水平逐级下降，到达最低值。

  经过发明一种与二氧化硅具有滑润、接连界面的薄膜，研讨小组完成了一种质子注入功率高、作业电压低于 0.4 伏特的设备。这是开发低功耗存储器材的一个重要因素。

  他们供认，下降作业电压是一项严重应战，但解说说，界面上的质子注入功率能操控作业电压，并可进行必定调整。

  “咱们面对的最大应战是下降作业电压，但咱们意识到，接口上的质子注入功率操控着作业电压，并能够直接进行相应的调整。咱们致力于开发能耗更低、运转更快的铁电神经形状核算芯片。”他们弥补说。