SiO2绝缘层结构示意图P型硅衬底源极S栅极G漏极DNN851.PPT

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  * SiO2 绝缘层 结构示意图 P 型硅衬底 源极 S 栅极 G 漏极 D N+ N+ 8.5.1 N 沟道增强型绝缘栅场效应管 D S G 符号 构成：用一块杂质浓度较低的 P 型薄硅片作为衬底，其上分散两个相距很近的高掺杂 N+型区，并在外表生成一层薄薄的二氧化硅绝缘层。再在两个 N+ 型区之间的二氧化硅绝缘层的外表及两个N+型区的外表别离安顿三个电极：栅极 G、源极 S 和漏极 D。 8.5 绝缘栅型场效应管 当在柵极和源极之间加正向电压但数值较小时(0 UGS UGS(th))，由柵极指向衬底方向的电场招引电子向上移动，添补空穴在 P 型硅衬底的上标明发生耗尽层，此刻依然没有漏极电流。 P 型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 ID = 0 UGS N+ N+ UDS 当栅—源电压 UGS = 0 时，D 与 S 之间是两个 PN 结反向串联，不管 D 与 S 之间加什么极性的电压，总有一个 PN 结是反向偏置的，漏极电流 ID 均接近于零。 因为柵极是绝缘的，柵极电流简直为零，栅源电阻(输入电阻)RGS 很高，最高可达 1014 ?。 当 UGS 大于必定数值时(UGS UGS(th))，在栅极下 P 型半导体标明发生 N 型层，一般称它为反型层。这便是沟通源区和漏区的 N 型导电沟道(与P型衬底间被耗尽层绝缘)。UGS 正值越高，导电沟道越宽。 P型硅衬底 N + + B S G D 。 耗尽层 N 型导电沟道 N+ N+ ?UGS + EG 构成导电沟道后，在漏—源电压 UDS 的效果下，将发生漏极电流 ID ，管子导通。 P 型硅衬底 N + + B S G D 。 UDS ID N+ UGS N+ N 沟道 在必定的漏—源电压UDS 下，使管子由不导通变为导通的临界栅—源电压叫做敞开电压，用 UGS(th)表明。 只有当 UGS UGS(th) 后， ID 才随栅—源电压的改变而改变，这便是 N 沟道增强型绝缘栅场效应管的栅极操控效果。 N 沟道增强型绝缘栅场效应管的导通 *

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