构成崎岖不平的绒面，其效果为：a.使用陷光效应，添加硅片对太阳光的吸收，下降反射率；一起添加硅片表面积，从而P-N结面积也相同添加；

  在N型硅片（掺磷）上分散P型元素（硼）构成P-N结（即空间电荷区） ，在正面构成P+层，反面构成N+层。

  在必定的浓度、温度、压力及时刻下，硼源（BBr3或BCl3）在管式炉中汽化后，经过一系列化学反响在硅片标明上进行堆积，取得适宜的掺杂浓度、结深及方阻；

  在硅片反面堆积一层超薄氧化层供给杰出的界面钝化，一起供给不同载流子隧穿势垒;

  非晶硅堆积：高温通硅烷，硅烷热分化成硅和氢气；反响方程式：SiH4（气）=Si（固）+H2

  氧气的存鄙人，POCl3在高温下分化生成五氯化磷（PCl5）和五氧化二磷（P2O5）,反响式：

  首要经过HF+HNO3的混合溶液，对硅片正面和边际进行刻蚀，以到达去除正面及边际BSG的效果。

  硅片标明发生一层Si3H4薄膜，既可作为减反射膜，发生钝化效果；又因其结构细密确保硅片不被氧化；

  硅片置于阴极上，使用辉光放电使硅片升温到预订的温度，然后通入适量的SiH4和NH3气体，经一系列化学反响和等离子体反响，在样品标明发生固态Si3H4薄膜；

  反面印主栅→烘箱→反面印副栅→烘箱→正面印主栅→烘箱→正面印副栅→烧结炉→高温退火炉→测验；

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