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光耦仿真器简介和优势
来源:二氧化硅   上传时间:2023-11-02 16:53:27

  隔离器和光隔离器,长期以来一直是设计人员寻求系统隔离的一种选择。自 20 世纪 70 年代以来,这些和汽车终端设备提供安全隔离方面发挥着及其重要的作用。然而,尽管这类器件已经取得了长足的进步,但在电气特性、可靠性和集成能力方面似乎存在一定的限制,这促使设计人员探索其他替代方案。

  于是,各种替代方案便开始不断涌现,比如电容隔离和磁隔离等技术,这些技术提供了比光耦合器更出色的整体性能。自 21 世纪初以来,德州仪器一直在投资开发基于二氧化硅 (SiO2) 的数字隔离技术,并推出了一些,这一些产品具有与光耦合器相同的功能,并还带有一些独特的优势。

  德州仪器的光耦仿真器融合了传统光耦合器的优势和TI基于 SiO2 的隔离技术的优势。光耦仿真器与业内最常见的光耦合器引脚对引脚兼容,有助于无缝集成到现有设计中,同时提供相同的信号行为。从设计工程师的角度来看,这一些产品在外观和行为上都与光耦合器相似,但采用了 TI 的 SiO2 技术来实现隔离栅。隔离栅能有效地阻止高压信号并防止接地回路,确保系统的安全性和稳定能力,使您能够充分的利用 SiO2 隔离的优势,包括增强的电气特性、更出色的高压可靠性以及集成额外系统功能的潜力。通过开发这类半导体产品,我们的目标是为您提供两全其美的选择。

  如图 1 所示,传统的光耦合器使用LED来跨隔离栅传输数字或,而光晶体管则在另一侧检测信号。众所周知,光耦合器中使用的 LED 会在其常规使用的寿命内随时间推移而出现老化或劣化效应。LED 的这一特性给系统模块设计人员带来了很大的麻烦。此外,光耦合器中使用的在允许电压下不导电的材料种类非常之多,从空气、环氧树脂到模塑化合物等。表 1 清楚地展示了光耦合器与采用 SiO2 电介质的光耦仿真器在隔离强度上有何区别。

  光耦仿真器使用 TI 基于 SiO2 的隔离栅来实现信号隔离,能够尽可能的防止这两个常见的光耦合器问题。图 2 展示了光耦仿真器的内部结构,其中发送和接收电路模拟了传统光耦合器的功能行为,同时 SiO2 提供了高压隔离。

  通过整合先进的隔离技术,光耦仿真器能够克服与传统光耦合器相关的限制,实现出色的性能和可靠性。我们来讨论一下光耦仿真器的几个优势:

  更低的功耗。传统的光耦合器需要预先进行超裕度设计,以帮助补偿 LED 不可避免的老化效应,因此就需要在设计的整个寿命期间提供额外的正向电流(IF)。TI 的光耦仿真器具有超低的 IF 和电源电流,可以帮助您节省高达 80% 的功率预算。

  更高的共模瞬态抗扰度 (CMTI)。数字光耦合器的 CMTI 通常约为 15kV/µs,而 ISOM8710 的最小 CMTI 为 125kV/µs,因此能在具有超高共模开关噪声或高振铃噪声的应用中使用。

  稳定且精确的电流传输比 (CTR)。不必再为获得更精确的 CTR 范围而支付额外费用。ISOM8110 等 TI 光耦仿真器标配各种在温度范围内保持稳定的精确 CTR 范围。

  高数据速率。典型的高速光耦合器支持 1Mbps 至 10Mbps 的数据速率,而 ISOM8710 支持 25Mbps 的数据速率。这种支持可以在一定程度上完成更高的吞吐量,使光耦仿真器能够在各种高速应用中使用。

  带宽。ISOM8110 支持 680kHz 的高带宽,因此能够缩小必要磁性元件(电感器与变压器)的尺寸。高带宽有助于改善次级侧调节反激式转换器的瞬态响应。而由于瞬态响应得到一定的改善,因此能缩小输出电容器的尺寸,从而释放布板空间并降低整体系统成本,尤其是在高开关频率的氮化镓设计中。

  宽温度范围。光耦合器支持的温度范围通常为 0°C 至 +85°C。虽然有些光耦合器支持更宽的温度范围,但这一特性会增加额外的成本。TI 的光耦仿线°C 的宽工作时候的温度范围,并且在 2024 年将提供更多符合汽车标准的器件。

  可靠隔离。光耦仿真器具有更高的高压性能,因此很适合需要可靠隔离的应用。TI 的光耦仿线 来实现绝缘栅,可提供 500V/µm 的隔离能力,这远超于市场上许多光耦合器中使用的空气介质 (1V/µm)。

  光耦仿真器代表着信号隔离技术的重大进步,它将熟悉的光耦合器功能与 SiO2 隔离技术的优势融为一体。借助这一些器件,您能够很好的满足现代系统的需求,确保性能、可靠性和安全性得到增强。通过充分的利用光耦仿真器,您可以优化设计,迎接隔离技术的新时代。

  如果您已准备好升级设计来采用光耦仿真器,能够尝试使用 TI 的交叉参考搜索工具。通过该工具,您可以上传当前设计中使用的光耦合器,从而找到匹配的合适光耦仿真器。

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