【深度】硅基氮化镓（GaN-on-Si）运用远景宽广 全球布局公司数很多运用硅基氮化镓制备而成的充电器有着比一般充电器更快的充电速度、更高的功率输出、更低的能量损耗、更小的发热几率等，运用优势较高 硅基氮化镓（GaN-on-Si）是指由硅和氮化镓组成的复合资料，其兼

  文︱立厷图︱网络到2026年,RF GaN器材商场估计将超越24亿美元。GaN-on-SiC(碳化硅基氮化镓)和GaN-on-Si(硅基氮化镓)之间的的技能和出产竞赛已然显现。Yole功率和无线部分复合半导体和新式衬底团队首席分析师Ezgi Dogmus博士断语:“随同新式的RF GaN商场

  《科创板日报》(上海,研究员 宋子乔)讯,全球功率半导体IDM龙头及其他赛道的佼佼者正继续加码第三代资料。据《电子时报》报导,英飞凌大中华区电源与感测体系事业部协理陈志星日前表明,英飞凌预期三至五年后有机会把SiC(碳化硅)、GaN(氮化镓)本钱降到跟硅基元件相仿的程度,后段制程技能也继续推动

  立异助力5GECO 陶氏公司有机硅新品完美处理5G手机和基站散热问题

  近来，据我国信通院最新多个方面数据显现：我国现已建成了全球最大的5G 网络，5G终端连接数超越2亿，现已上市的5G手机到达218款。在今年年初举行的2021年全国工业和信息化工作会议上，工信部提出了再建60万5G基站的方针使命，毫无疑问，当下5G工业的开展如火如荼