在当今高度依赖电力的社会中，功率损耗已成为电力电子领域不可忽视的重要的条件。为满足行业对更高效、更可靠的电力处理方案的需求，英飞凌科技股份公司近日推出了新型的碳化硅CoolSiC MOSFET G2沟槽技术。这一技术为AC/DC、DC/DC、DC/AC电源方案中的功率传输效率设定了新的标准，引领着电力电子领域的发展。
与传统的硅功率器件相比，CoolSiC MOSFET G2在硬开关和软开关操作中展现出了显著的优势。其关键品质因数相比上一代G1提高了20%以上，使得在相同的条件下，它能够以更高的效率进行电力转换。此外，SiC MOSFET的快速开关能力也提高了30%以上，逐渐增强了其在各种应用中的性能表现。这些优势使得G2在光伏逆变器、储能装置、电动汽车充电以及UPS等多种运行模式下都能实现较低的功率损耗，为现场处理的每瓦特节能提供了强有力的支持。
值得一提的是，英飞凌独特的.XT互连技术也在其中发挥了及其重要的作用。该技术有助于在保持热性能的同时提高半导体芯片的性能，从而克服了该领域的常见挑战。新一代产品的热性能提高了12%，将芯片的品质因数提升到了SiC性能的新水平。此外，CoolSiC G2 MOSFET产品组合还实现了SiC MOSFET市场中最低的导通电阻（Rdson），进一步提升了能效和功率密度，并减少了零件数量。
除了卓越的性能表现，CoolSiC MOSFET G2还提升了可靠性，以确保在长期现场运行中达到最佳性能。其中，1200V产品组合可在150℃可靠运行，并具有高达200°C虚拟结温的过载操作能力，使得系统模块设计人员能够更灵活地应对电网波动等挑战，同时减少冷却工作并简化系统设计。
英飞凌科技股份公司的CoolSiC MOSFET G2技术的推出，开启了电力系统和能源转换的新篇章。该技术不仅提高了整体能源效率，进一步促进了脱碳，而且为光伏、储能、直流电动汽车充电、电机驱动和工业电源等各种功率半导体应用的用户带来了巨大的优势。与前几代产品相比，配备CoolSiC G2的电动汽车直流快速充电站可减少高达10%的功率损耗，同时在不影响外观尺寸的情况下实现更高的充电容量。基于CoolSiC G2器件的牵引逆变器能更加进一步增加电动汽车的续航能力。在可再次生产的能源领域，采用CoolSiC G2设计的太阳能逆变器可以在保持高功率输出的同时缩小尺寸，以此来降低每瓦成本。
英飞凌绿色工业电力部门总裁Peter Wawer博士表示：“大趋势需要新的、高效的方式来产生、传输和消耗能源。凭借CoolSiC MOSFET G2，英飞凌将碳化硅性能提升到了一个新的水平。新一代SiC技术能够加速设计成本更优化、紧凑、可靠且高效的系统，从而节省能源并减少现场安装的每瓦特的CO2排放量。”
英飞凌领先的CoolSiC MOSFET沟槽技术结合屡获殊荣的.XT封装技术，逐渐增强了基于CoolSiC G2的设计潜力，具有更高的导热性、更好的装配控制和更高的性能。此外，英飞凌掌握硅、碳化硅和氮化镓(GaN)领域的所有相关功率技术，提供设计灵活性和领先的应用专业相关知识，满足现代设计人员的期望和需求。基于SiC和GaN等宽带隙(WBG)材料的创新半导体是有意识、高效利用能源促进脱碳的关键。
关键字：引用地址：英飞凌推出第二代CoolSiC MOSFET，为电力电子领域设定新标准
推出 256 Mbit SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品
英飞凌推出 256 Mbit SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品，助力打造小巧节能的工业和消费电子科技类产品 【2023 年 04 月 10日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司近日推出 SEMPER™ Nano NOR Flash 闪存产品 。这种存储器经过专门优化，适合在电池供电的小型电子设备中使用。健身追踪器、智能耳机、健康监测仪、无人机和 GPS 导航等新型可穿戴应用及工业应用不断涌现，有助于实现精准跟踪、记录关键信息、增强安全性、降低噪声等更多功能。这些先进的功能和使用场景要求在体积更小的电子设备中配备更大容量的存储器。据Omdia 多个方面数据显示，蓝牙耳机和头戴式耳机市场预计将以 25% 的年复合增长
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2016年6月14日，致力于亚太地区市场的领先半导体元器件分销商---大联大控股宣布，其旗下品佳推出基于Infineon的数字式PFC-LLC组合控制器IDP2302的120W TV电源解决方案。IDP2302是英飞凌第二代数字电源控制器，SO-16封装，集成了PFC+LLC控制器、高压启动单元、高压侧驱动，专用于TV电源系统的开关模式电源应用。 图示1-大联大品佳推出的基于Infineon IDP2302的120W TV电源解决方案系统框架图 大联大品佳力推的Infineon的IDP2302是一款高度集成的多模功率因数校正（PFC）和半桥LLC（HB LLC）控制器。PFC控制器的多模操作和LLC MOSFET的零电
新罕布什尔州梅里马克市，2014年5月12日— GT Advanced Technologies（NASDAQ：GTAT）今天宣布了几项新举措，旨在为下一代消费和工业产品扩展其蓝宝石与碳化硅解决方案组合。公司已与位于欧洲的特种粘合与材料处理设备全球领导者EV Group（“EVG”）签署了相关备忘录，以期在多种合作安排中携手并进，这中间还包括联合开发使用GT的Hyperion(TM)技术生产的超薄蓝宝石与碳化硅薄片粘合至设计的基板（例如玻璃、硅和塑料）所必需的大批量生产的基本工艺和设备。 此外，GT还宣布将开始与一家领先的玻璃基板生产商联合开发特种设计的基板材料，这些材料可以粘合至超薄蓝宝石薄片，打造独一无二的复合材料解决方案，进
派恩杰SiC MOSFET批量“上车”，拟建车用SiC模块封装产线率先搭载基于全SiC MOSFET模块的逆变器后，全球车企纷纷加速SiC MOSFET在汽车上的应用落地。但目前全球碳化硅市场基本被国外垄断，据Yole数据，Cree，英飞凌，罗姆，意法半导体占据了90%的市场占有率。国产厂商已有不少推出了碳化硅二极管，但具有SiC MOSFET研发和量产能力的企业凤毛麟角。 近日，据业内人士透露，国产碳化硅功率器件供应商派恩杰半导体（杭州）有限公司（简称派恩杰）的SiC MOSFET产品在新能源汽车OBC应用验证取得了重大突破，获得了新能源汽车有突出贡献的公司数千万订单，并已开始低调供货。派恩杰之所以
2009年3月27日，英飞凌科技股份公司和博世集团将双方的合作范畴扩展至功率半导体。 此次合作有两个重要内容：首先，博世将从英飞凌获得功率半导体制造工艺的许可——尤其是低压功率MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管）以及必要的制造工艺。其次，双方的合同还包括一个第二货源协议。目前，博世在罗伊特林根已有自己的半导体工厂，英飞凌也将采用该厂的工艺为博世生产和供应元件。今后，两家企业将携手开发生产功率半导体元件的核心技术。通过与博世合作，英飞凌不仅提高了自己在汽车半导体市场的份额，而且成为博世的首选功率半导体供应商。 环保法规和新出台的限制燃料消耗和二氧化碳排放的条例，要求汽车的各种子系
德国慕尼黑 2015年3月9日 英飞凌科技股份有限公司(FSE:IFX / OTCQX:IFNNY) 通过引入ICL5101，拓展了其在 40W 到 300W 照明系统的控制IC产品组合。该款新型高压谐振控制IC ICL5101高度集成化，有助于降低系统成本。其典型应用包括：室内及室外LED 照明、高/低棚照明、街道照明、停车场及天棚照明、办公室照明、零售以及商店照明。照明系统的总体拥有成本是工业照明的重要考量因素，而新型ICL5101 所支持的谐振拓扑效率高达95%，因此备受客户青睐。 高度集成的ICL5101可实现LED 驱动器的高端设计，相比于同时需要独立PFC IC和谐振IC的类似解决方案，其所
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【2023 年 04 月 11日，德国慕尼黑讯】 英飞凌科技股份公司表示，内置在汽车中的高性能计算机，能够尽可能快速、可靠地处理所有可用的数据和信息，以便车辆能够安全地行驶，这是自动化联网汽车的关键 。曼海姆-CeCaS研究项目的宗旨就是要开发相应的车用超级计算平台。该项目由来自业内和高校的 30 家研究合作伙伴共同参与，并且已被德国联邦政府纳入旨在推动汽车与移动出行行业实现数字化转型的大规模资助计划之中。整个项目由英飞凌负责领导和协调。近日，各方代表齐聚英飞凌慕尼黑总部 Campeon 大楼，出席了项目启动仪式。 英飞凌科技汽车电子事业部总裁 Peter Schiefer 表示：“驾驶辅助系统如此广受欢迎，意味着
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除汽车行业以外，市场环境依然疲软；基于货币和市场疲软等因素，对2024财年业绩展望做出调整 2024财年第一季度：营收为37.02亿欧元，利润达8.31亿欧元，利润率为22.4%。 2024财年展望：假设欧元兑美元汇率为1:1.10 (之前为1:1.05), 英飞凌目前预计营收约为160亿欧元（±5亿欧元），如果营收为预测区间的中点，则利润率将在20%至25%， 调整后毛利率将在40%至45%。投资额现已减少到约29亿欧元。考虑到对前道厂房的投资以及收购氮化镓系统公司（GaN Systems）等因素，调整后的自由现金流约为18亿欧元，所报自由现金流约为2亿欧元。预计已动用资本回报率（RoCE）约为11%。 202
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针对电池供电中低压大电流驱动方案
Understanding and overcoming the challenges of building high voltage automotive battery management
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报名赢【养生壶、鼠标】等｜STM32 Summit全球在线大会邀您一起解读STM32方案
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